CNR - ISMN
Deposizione di film sottili e funzionalizzazione di superfici

Articoli

Laboratorio di Crescita di film sottili per deposizione chimica da fase vapore ISMN-MLIB Ed10b

Apparato Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) per deposizioni di rivestimenti a base di carbonio (Diamond-Like Carbon based) e modifica via plasma delle proprietà di superficie di materiali organici e inorganici
Generatore 13,500 MHZ, 250W di potenza, matching network
Linee gas: Argon, Azoto, Idrogeno, Ossigeno e Metano
Linea bubbler per metallorganici
Porta Substrato riscaldato fino a 200°C
Pre-camera per trattamento campioni
L’apparato di deposizione Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD) è costituito da una camera reattore a due elettrodi asimmetrici e paralleli e da una precamera. L’elettrodo superiore è collegato con un generatore a Radio Frequenza 13.56MHz, controllato da un adattatore di impedenza integrato, che permette potenze fino a 300W. L’elettrodo inferiore ha la possibilità di essere riscaldato fino a 300°C mediante lampade al quarzo. La temperatura è controllabile mediante termocoppia. L’apparato è provvisto di 3 differenti linee di gas, una per CH4, H2, Ar, N2 , una dedicata all’ O2 e la terza che permette l’immissione in camera di vapori di un precursore metallorganico bassobollente, usando Ar come gas carrier. I precursori vengono immessi nella camera di deposizione attraverso un distributore a doccia collegato con l’elettrodo superiore.

Apparato Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) per deposizioni di film sottili a base ossidica (TiO2, SnO, TixSnyO)
Linee gas: ossigeno, Azoto
Linee Bubbler: Titanio Isopropossido, Stagno Butossido, Zirconio…
Pre-camera per trattamento campioni
L’apparato di deposizione Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) è costituito da una camera di deposizione e una precamera per il trattamento dei substrati. Il porta campioni può essere riscaldato fino a 800°C. L’apparato è provvisto di una linea di gas per l’ossigeno e una per l’azoto. Le linee bubbler attualmente sono predisposte i seguenti precursori metallorganici: Titanio Isopropossido, Stagno Butossido, Zirconio Butossido.

Referenti:
Daniela Caschera, Questo indirizzo email è protetto dagli spambots. E' necessario abilitare JavaScript per vederlo.;
Roberta Grazia Toro, Questo indirizzo email è protetto dagli spambots. E' necessario abilitare JavaScript per vederlo.

 

I cookie rendono più facile per noi fornirti i nostri servizi. Con l'utilizzo dei nostri servizi ci autorizzi a utilizzare i cookie.
Maggiori informazioni Ok Rifiuta